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產(chǎn)品分類
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美國ISOCOM耦合器
美國ISOCOM耦合器
ISOCOM耦合器 低功率耦合器
產(chǎn)品特點(diǎn)：
·CTR范圍
10％至600％的晶體管探測器
1000％，*小為達(dá)林頓探測器
·隔離電壓
7500V
·集電*到發(fā)射*電壓范圍
30V到400V
·峰值可控硅阻斷電壓高達(dá)800V。
ISOCOM耦合器 低功率耦合器
選項：
·UL*證，BSI，德國VDE，NEMKO，EN60950***證設(shè)備
·10mm引線傳播（G表格）
·SMT引線配置（鷗翼）的DIP封裝
·8針，單SOIC封裝晶體管器件
·磁帶和卷軸
ISOCOM 耦合器：
主要型號：4N25、4N26、4N27、MOC3043、4N28、4N29、4N30、4N31、MOC3061、4N32、4N33、4N35、4N36、MOC3081、4N37、4N38、4N38A、CNX72A、MOC5008、CNX83AG、CNY17-1、CNY17-2、CNY17-3、MOC8030、CNY17-4、CNY17-5、CNY17F-1、CNY17F-2、MOC8102、CNY17F-2、CNY17F-3、CNY17F-4、CNY17F-5、MOC8106、CNY35、CNY75A、CNY75B、CNY75C、MOC8111、CQY80、H11A1
ISOCOM耦合器 低功率耦合器
產(chǎn)品特點(diǎn)：
·CTR范圍
10％至600％的晶體管探測器
1000％，*小為達(dá)林頓探測器
·隔離電壓
7500V
·集電*到發(fā)射*電壓范圍
30V到400V
·峰值可控硅阻斷電壓高達(dá)800V。
ISOCOM耦合器 低功率耦合器
選項：
·UL*證，BSI，德國VDE，NEMKO，EN60950***證設(shè)備
·10mm引線傳播（G表格）
·SMT引線配置（鷗翼）的DIP封裝
·8針，單SOIC封裝晶體管器件
·磁帶和卷軸
ISOCOM 耦合器：
主要型號：4N25、4N26、4N27、MOC3043、4N28、4N29、4N30、4N31、MOC3061、4N32、4N33、4N35、4N36、MOC3081、4N37、4N38、4N38A、CNX72A、MOC5008、CNX83AG、CNY17-1、CNY17-2、CNY17-3、MOC8030、CNY17-4、CNY17-5、CNY17F-1、CNY17F-2、MOC8102、CNY17F-2、CNY17F-3、CNY17F-4、CNY17F-5、MOC8106、CNY35、CNY75A、CNY75B、CNY75C、MOC8111、CQY80、H11A1
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